生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 150 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
元件数量: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大功率耗散 (Abs): | 960 W | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
VCEsat-Max: | 2.2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2MBI150L-060 | FUJI |
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IGBT MODULE(L series) | |
2MBI150L-120 | FUJI |
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IGBT MODULE(L series) | |
2MBI150LB-060 | FUJI |
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IGBT MODULE | |
2MBI150N-060 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) | |
2MBI150N-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) | |
2MBI150NB-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) | |
2MBI150NC-060 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) | |
2MBI150NC-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) | |
2MBI150NE-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) | |
2MBI150NT-120 | FUJI |
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IGBT module |