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2SA1986

更新时间: 2024-09-17 12:54:07
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
Silicon PNP Power Transistor

2SA1986 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:230 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

2SA1986 数据手册

 浏览型号2SA1986的Datasheet PDF文件第2页 

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