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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | 2-16C1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.41 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 230 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1986-R(Q) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SA1987 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SA1987 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1987 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1987 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors 2SA1987 |
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| 2SA1987 | NJSEMI |
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Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SA1987_06 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SA1987O | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1987-O | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SA1987O(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,230V V(BR)CEO,15A I(C),TO-264AA |
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