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1SV238TPHR3

更新时间: 2024-02-02 15:29:48
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
DIODE VHF BAND, 35 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode

1SV238TPHR3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:SMALL TRACKING ERROR, 2.5% MATCHED SETS ARE AVAILABLE
最小击穿电压:30 V配置:SINGLE
最小二极管电容比:10.7标称二极管电容:35 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.01 µA
反向测试电压:28 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1SV238TPHR3 数据手册

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