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1SV245

更新时间： 2024-02-25 00:07:07

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TYSEMI		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	57K
描述
High Capacitance Ratio:C2V/C25V = 5.7(Typ.) Low Series Resistance:rs = 1.2 (Typ.)

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1SV245 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOD
包装说明：	1-1E1A, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	SMALL TRACKING ERROR, CAPACITANCE MATCHED TO 6%
最小击穿电压：	30 V	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	15.77%	最小二极管电容比：	5
标称二极管电容：	3.93 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY TO KA BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1SV245 数据手册

Product specification

1SV245

SOD-323

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

1.7

Features

+0.1

-0.1

High Capacitance Ratio:C2V/C25V = 5.7(Typ.)

Low Series Resistance:rs = 1.2 (Typ.)

Excellent C-V Characteristics,and Small Tracking Error.

2.6

1.0max

0.475

0.375

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Junction Temperature

Storage Temperature Range

V^RM

T^j

35(R^L= 10 K

125

)

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I^R= 1

Reverse Current

Capacitance

I^R

V^R= 28 V

4.55

0.77

6.5

C^2V

f = 1 MHz;V^R= 2 V

f = 1 MHz;V^R= 25 V

3.31

0.61

C^25V

C^2V/C^25V

r^s

Capacitance Ratio

Series Resistance

Note :

5.7

1.2

V^R= 1V, f = 470 MHz

2.0

Unites are compounded in one package and are mathed to 6.0%

C(Max.)-C(Min.)

0.06

C(Min.)

(V^R=2~25V)

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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