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1SV239

更新时间： 2024-02-14 12:17:44

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TYSEMI		二极管测试光电二极管
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1页	56K
描述
Ultra Low Series Resistance:rs = 0.44 (Typ.) Useful for small size Set

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1SV239 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	15 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	10.59%
最小二极管电容比：	2	标称二极管电容：	4.25 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	15 V	最大反向电流：	0.003 µA
反向测试电压：	15 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1SV239 数据手册

Product specification

1SV239

SOD-323

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

1.7

Features

Ultra Low Series Resistance:rs = 0.44 (Typ.)

Useful for small size Set

+0.1

-0.1

2.6

1.0max

0.475

0.375

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Value

Unit

Junction Temperature

T^j

125

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I^R= 1

Reverse Current

Capacitance

I^R

V^R= 15 V

C^2V

f = 1 MHz;V^R= 2 V

f = 1 MHz;V^R= 10 V

3.8

1.5

4.25

1.75

2.4

4.7

2.0

C^10V

C^2V/C^10V

r^s

Capacitance Ratio

Series Resistance

V^R= 1V, f = 470 MHz

0.44

0.6

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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