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1SV239

更新时间: 2024-02-21 09:31:01
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东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 113K
描述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE (VCO FOR UHF RADIO)

1SV239 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.12
Is Samacsys:N最小击穿电压:15 V
配置:SINGLE二极管电容容差:10.59%
最小二极管电容比:2标称二极管电容:4.25 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带:ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:15 V最大反向电流:0.003 µA
反向测试电压:15 V子类别:Varactors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1SV239 数据手册

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