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1SS382(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-20 19:51:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试
页数 文件大小 规格书
3页 190K
描述
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES,TSOP

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1SS382(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.53最大正向电压 (VF)：1.2 V
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大功率耗散：0.1 W最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：80 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YESBase Number Matches：1

1SS382(TE85L,F) 数据手册

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1SS382  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS382  
Ultra High Speed Switching Application  
Unit: mm  
z Small package  
z Composed of 2 independent diodes.  
z Low forward voltage  
: V  
= 0.92V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: T = 1.6ns (typ.)  
rr  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
300 *  
100 *  
2
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
100 *  
125  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
−55~125  
stg  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
TOSHIBA  
1-2U1A  
Weight: 0.006g (typ.)  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
―
―
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.61  
0.74  
0.92  
―
―
―
V
V
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
2.0  
4.0  
V
I
I
V
V
= 30V  
= 80V  
μA  
μA  
pF  
ns  
R
R
Reverse current  
―
R (2)  
CT  
Total capacitance  
VR = 0, f = 1MHz  
IF = 10mA, Fig.1  
0.9  
1.6  
Reverse recovery time  
trr  
Pin Assignment (Top View)  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS382(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS382_07 TOSHIBA

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 		Ultra High Speed Switching Application
1SS383 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
1SS383 TYSEMI

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 		Composed of 2 independent diodes. Low forward voltage: VF (3) = 0.54V (typ.)
1SS383 KEXIN

获取价格

 		Low Voltage High Speed Switching
1SS383(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		ARRAY OF INDEPENDENT DIODES,TSOP
1SS383(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Diode Small Signal Schottky 45V 0.1A 4-Pin USQ T/R
1SS383_07 TOSHIBA

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 		Low Voltage High Speed Switching
1SS383T1G ROCHESTER

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 		0.3 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, LEAD FREE, CASE 900AA-01, SC-82, 4 PIN
1SS383T1G/D ETC

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 		Dual Schottky Diode
1SS383T2G ONSEMI

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 		DIODE 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 900AA-01, SC-82, 4 PIN, Signal Diode

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