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1SS226,LF(T

更新时间: 2024-11-20 12:59:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 288K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon

1SS226,LF(T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.63
应用:ULTRA FAST RECOVERY配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.15 W参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向电流:0.5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs反向测试电压:80 V
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1SS226,LF(T 数据手册

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BL Galaxy Electrical  
Production specification  
Surface mount switching diode  
FEATURES  
1SS226  
Pb  
Lead-free  
z
z
Fast switching.  
Power dissipation. PD:150mW(Tamb=25)  
APPLICATIONS  
z
High speed switching application.  
SOT-23  
ORDERING INFORMATION  
Type No.  
1SS226  
Marking  
C3  
Package Code  
SOT-23  
MAXIMUM RATING @ Ta=25unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VRM  
VR  
Limits  
Unit  
V
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
85  
DC Reverse Voltage  
Forward Current(max)  
80  
V
IFM  
300  
100  
mA  
mA  
Forward Output current  
Io  
Peak forward surge current  
@=1.0μs  
IFSM  
2
A
@=1.0s  
Power Dissipation  
Pd  
150  
mW  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Tj  
125  
TSTG  
-55 to +125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Test Condition  
IR= 100μA  
MAX  
UNIT  
V
Reverse Breakdown Voltage  
Forward Voltage  
V(BR)R  
VF  
80  
IF=100mA  
1.2  
0.5  
3.0  
4.0  
V
Reverse Leakage Current  
Diode Capacitance  
VR=80V  
IR  
μA  
pF  
ns  
VR=0V,f=1MHz  
IF=IR=10mAIrr=0.1*IR  
CD  
trr  
Reverse Recovery Time  
Document number: BL/SSSDC007  
Rev.A  
www.galaxycn.com  
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