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1SS226TE85L2

更新时间： 2024-02-15 13:04:42
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 超快恢复二极管快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 169K
描述
DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS226TE85L2 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.65
应用：ULTRA FAST RECOVERY配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：85 V最大反向电流：0.5 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs反向测试电压：80 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS226TE85L2 数据手册

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1SS226  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS226  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
z Small package  
: SC-59  
: V  
z Low forward voltage  
= 0.9V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 0.9pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
300 (*)  
100 (*)  
2 (*)  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
150  
mW  
°C  
°C  
JEDEC  
TO−236MOD  
Junction temperature  
T
j
125  
JEITA  
SC−59  
Storage temperature range  
T
−55~125  
stg  
TOSHIBA  
1−3G1G  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
(*) Unit rating. Total rating = Unit rating × 0.7.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.60  
0.72  
0.90  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 10mA  
―
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
―
V
V
V
= 30V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
―
= 80V  
―
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1MH  
0.9  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
―
I = 10mA (Fig.1)  
F
rr  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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