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1SS226TE85R

更新时间： 2024-01-26 18:44:03

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东芝 - TOSHIBA		超快恢复二极管快速恢复二极管测试光电二极管
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描述
DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS226TE85R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.65
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向电流：	0.5 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	反向测试电压：	80 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1SS226TE85R 数据手册

1SS226

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

1SS226

Unit: mm

Ultra High Speed Switching Application

l Small package

l Low forward voltage

: SC-59

: V

= 0.9V (typ.)

F (3)

l Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)

l Small total capacitance

: C = 0.9pF (typ.)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Maximum (peak) reverse voltage

Reverse voltage

Maximum (peak) forward current

Average forward current

Surge current (10ms)

300 (*)

100 (*)

2 (*)

FSM

Power dissipation

150

°C

JEDEC

EIAJ

TO−236MOD

Junction temperature

125

SC−59

TOSHIBA

1−3G1G

Storage temperature range

−55~125

stg

Weight: 0.012g

(*) Unit rating. Total rating = Unit rating × 0.7.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Test

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Circuit

―

= 1mA

―

0.60

0.72

0.90

―

F (1)

F (2)

F (3)

R (1)

R (2)

Forward voltage

―

= 10mA

―

= 100mA

1.20

0.1

0.5

3.0

4.0

―

= 30V

Reverse current

µA

―

= 80V

―

Total capacitance

―

= 0, f = 1MH

0.9

1.6

Reverse recovery time

―

I = 10mA (Fig.1)

Marking

2001-06-07

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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