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1SS244T-72

更新时间: 2024-11-18 12:56:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
Switching diode

1SS244T-72 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.44
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e1最大非重复峰值正向电流:1 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.3 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:250 V最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:0.075 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

1SS244T-72 数据手册

 浏览型号1SS244T-72的Datasheet PDF文件第2页 
1SS244  
Diodes  
Switching diode  
1SS244  
!Applications  
!External dimensions (Units : mm)  
High voltage switching  
General purpose rectification  
CATHODE BAND (BLACK)  
φ0.4±0.1  
!Features  
1) Glass sealed envelope. (MSD)  
φ1.8±0.2  
29.0±1.0  
2.7±  
0.3  
29.0±1.0  
RM  
2) V =250V guaranteed.  
3) High reliability.  
ROHM : MSD  
EIAJ :  
JEDEC : DO-34  
!Construction  
Silicon epitaxial planar  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
250  
Unit  
V
Peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
Peak forward current  
Mean rectifying current  
Surge current (1s)  
Power dissipation  
VRM  
VR  
220  
V
I
FM  
625  
mA  
mA  
mA  
mW  
˚C  
I
O
200  
I
surge  
1000  
300  
P
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
175  
T
stg  
65~+175  
˚C  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
VF  
1.5  
10  
3
IF=200mA  
Reverse current  
I
R
µA  
pF  
ns  
V
R=220V  
Capacitance between terminals  
Reverse recovery time  
C
T
VR  
=0V, f=1MHz  
t
rr  
75  
IF=20mA, IR=20mA, RL=50Ω  

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