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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 250 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 最大反向恢复时间： | 0.075 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS245VM | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1SS250 | TOSHIBA |
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DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 1SS250(T5L | TOSHIBA |
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Rectifier Diode |
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| 1SS250(T5L,F,T) | TOSHIBA |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 250V V(RRM), Silicon |
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| 1SS250TE85L | TOSHIBA |
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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| 1SS250TE85L2 | TOSHIBA |
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DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1SS250TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| 1SS250TE85R2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| 1SS252 | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon, |
|
| 1SS252T-73 | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon |
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