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1SS250(T5L,F,T)

更新时间： 2024-11-14 14:49:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 323K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 250V V(RRM), Silicon

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1SS250(T5L,F,T) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-59, TO-236MOD, 3 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.15 W
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向恢复时间：0.06 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1SS250(T5L,F,T) 数据手册

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1SS250  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS250  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
Low forward voltage  
: V  
= 0.90V (typ.)  
F (2)  
Fast reverse recovery time: t = 60ns (max)  
rr  
Small total capacitance  
Small package  
: C = 1.5pF (typ.)  
T
: SC−59  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Peak reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
250  
200  
V
V
RM  
Reverse voltage  
V
R
Peak forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
Power dissipation  
I
300  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
2
FSM  
P
JEDEC  
JEITA  
TO−236MOD  
150  
mW  
°C  
°C  
SC−59  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
j
125  
TOSHIBA  
2−3F1S  
T
−55 to 125  
stg  
Weight: 12 mg (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Start of commercial production  
1984-05  
1
2017-10-31  
1234

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与1SS250(T5L,F,T)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS250TE85L TOSHIBA

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 		TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
1SS250TE85L2 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS250TE85R TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS250TE85R2 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS252 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon,
1SS252T-73 ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS252T-77 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS252UH02 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS252UH03 ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS252UH05 ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon

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