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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS250TE85L
1SS250TE85L PDF预览

1SS250TE85L

更新时间： 2024-11-14 12:54:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 185K
描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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1SS250TE85L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.76Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：250 V
最大反向电流：1 µA最大反向恢复时间：0.06 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS250TE85L 数据手册

 浏览型号1SS250TE85L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS250TE85L的Datasheet PDF文件第3页 
1SS250  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS250  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
z Low forward voltage  
: V  
= 0.90V (typ.)  
F (2)  
z Fast reverse recovery time: t = 60ns (max)  
rr  
z Small total capacitance  
z Small package  
: C = 1.5pF (typ.)  
T
: SC−59  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Peak reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
250  
200  
V
V
RM  
Reverse voltage  
V
R
Peak forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
Power dissipation  
I
300  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
2
FSM  
P
150  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
j
125  
JEDEC  
−
T
−55~125  
stg  
JEITA  
SC−59  
TOSHIBA  
1−3G1B  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Forward voltage  
Symbol  
Test Condition  
= 10mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
―
I
I
―
―
―
―
―
―
0.72  
0.90  
―
1.00  
1.20  
0.1  
1.0  
3.0  
60  
F (1)  
F (2)  
R (1)  
R (2)  
F
F
―
―
―
―
―
= 100mA  
I
I
V
V
V
I
= 50V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
= 200V  
―
C
T
= 0, f = 1MHz  
1.5  
10  
Total capacitance  
pF  
ns  
t
= 10mA (Fig.1)  
Reverse recovery time  
rr  
F
Fig.1 Reverse recovery time (t ) test circuit  
Marking  
rr  
1
2007-11-01  
123

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与1SS250TE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS250TE85L2 TOSHIBA

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 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS250TE85R TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS250TE85R2 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS252 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon,
1SS252T-73 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS252T-77 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS252UH02 ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS252UH03 ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS252UH05 ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon
1SS253T-72 ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.12A, 55V V(RRM), Silicon

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