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1SS250TE85R2

更新时间： 2024-11-14 14:39:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 174K
描述
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS250TE85R2 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.69
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大反向电流：1 µA
最大反向恢复时间：0.06 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS250TE85R2 数据手册

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1SS250  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS250  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
z Low forward voltage  
: V  
= 0.90V (typ.)  
F (2)  
z Fast reverse recovery time: t = 60ns (max)  
rr  
z Small total capacitance  
z Small package  
: C = 1.5pF (typ.)  
T
: SC−59  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Peak reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
250  
200  
V
V
RM  
Reverse voltage  
V
R
Peak forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
Power dissipation  
I
300  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
2
FSM  
P
150  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
j
125  
JEDEC  
−
T
−55~125  
stg  
JEITA  
SC−59  
TOSHIBA  
1−3G1B  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Forward voltage  
Symbol  
Test Condition  
= 10mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
―
I
I
―
―
―
―
―
―
0.72  
0.90  
―
1.00  
1.20  
0.1  
1.0  
3.0  
60  
F (1)  
F (2)  
R (1)  
R (2)  
F
F
―
―
―
―
―
= 100mA  
I
I
V
V
V
I
= 50V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
= 200V  
―
C
T
= 0, f = 1MHz  
1.5  
10  
Total capacitance  
pF  
ns  
t
= 10mA (Fig.1)  
Reverse recovery time  
rr  
F
Fig.1 Reverse recovery time (t ) test circuit  
Marking  
rr  
1
2007-11-01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS252 ROHM

获取价格

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