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1SS241

更新时间: 2024-02-04 01:21:10
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode

1SS241 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最小击穿电压:30 V配置:SINGLE
最大二极管电容:1.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE最大正向电压 (VF):0.85 V
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:100 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1SS241 数据手册

 浏览型号1SS241的Datasheet PDF文件第2页 

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