5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 1N6777
1N6777 PDF预览

1N6777

更新时间： 2024-11-09 03:54:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管功率超快恢复二极管局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

1N6777 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-MSFM-P2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.37应用：ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：TO-257
JESD-30 代码：R-MSFM-P2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N6777 数据手册

  
TECHNICAL DATA  
ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 646  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
1N6774  
1N6775  
1N6776  
1N6777  
JANTX  
JANTXV  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Working Peak Reverse Voltage  
1N6774 1N6775 1N6776 1N6777  
Symbol  
VRWM  
IF  
Unit  
Vdc  
50  
100  
150  
200  
TC = +100°C(1)  
15  
Adc  
Apk  
0C  
Forward Current  
Forward Current Surge Peak TP = 8.30C  
180  
IFSM  
Operating & Storage Junction Temperature  
-65 to +150  
Top, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
TO-257*  
(2-PIN-ISOLATED)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.0  
0C/W  
R
qJC  
qJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1) Derate at 300 mA/0C above TC = +1000C  
40  
0C/W  
R
*See appendix A for  
package  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = +250C Unless Otherwise Noted)  
outline  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Forward Voltage  
IF = 8.0 Adc, pulsed  
IF = 15 Adc, pulsed  
Reverse Current Leakage  
VR = 0.8 of VRWM  
VF  
Vdc  
1.00  
1.15  
IR  
mAdc  
10  
Thermal Impedance  
t
IM =15 mAdc; IH = 9.9 Adc; H = 200 ms; tMD = 35 ms; VH = 1  
ZØJX  
0C/W  
Vdc  
1.8  
Breakdown Voltage  
IR = 10 mAdc  
1N6774  
1N6775  
1N6776  
1N6777  
50  
Vdc  
VBR  
100  
150  
200  
Junction Capacitance  
CJ  
trr  
pF  
VR = 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz  
Reverse Recovery Time  
IF = 1.0 Adc; di/dt = 50 A/ms  
300  
35  
hs  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
Page 1 of 1  
1

中文翻译

下载PDF

1N6777 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6777 MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257,
JANTX1N6777 MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257,
JAN1N6777 MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257,

与1N6777相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6777E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257,
1N6778 INFINEON

获取价格

 		400V & 600V, 15A, Ultra-Fast Power Rectifiers in TO-257AA Hermetic 2 Pin Package
1N6778 MICROSEMI

获取价格

 		ULTRAFAST POWER RECTIFIER
1N6779 MICROSEMI

获取价格

 		ULTRAFAST POWER RECTIFIER
1N6779 INFINEON

获取价格

 		400V & 600V, 15A, Ultra-Fast Power Rectifiers in TO-257AA Hermetic 2 Pin Package
1N6786 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, Silicon,
1N6786E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, Silicon,
1N6787 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 0.75A, Silicon
1N6788 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 0.75A, Silicon
1N6789 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 0.75A, Silicon

与1N6777相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证