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1N6777

更新时间： 2024-11-28 03:54:51
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美高森美 - MICROSEMI 二极管功率超快恢复二极管局域网快速恢复二极管
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1页 50K
描述
ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER

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1N6777 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-MSFM-P2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.37应用：ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：TO-257
JESD-30 代码：R-MSFM-P2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N6777 数据手册

  
TECHNICAL DATA  
ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 646  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
1N6774  
1N6775  
1N6776  
1N6777  
JANTX  
JANTXV  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Working Peak Reverse Voltage  
1N6774 1N6775 1N6776 1N6777  
Symbol  
VRWM  
IF  
Unit  
Vdc  
50  
100  
150  
200  
TC = +100°C(1)  
15  
Adc  
Apk  
0C  
Forward Current  
Forward Current Surge Peak TP = 8.30C  
180  
IFSM  
Operating & Storage Junction Temperature  
-65 to +150  
Top, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
TO-257*  
(2-PIN-ISOLATED)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.0  
0C/W  
R
qJC  
qJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1) Derate at 300 mA/0C above TC = +1000C  
40  
0C/W  
R
*See appendix A for  
package  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = +250C Unless Otherwise Noted)  
outline  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Forward Voltage  
IF = 8.0 Adc, pulsed  
IF = 15 Adc, pulsed  
Reverse Current Leakage  
VR = 0.8 of VRWM  
VF  
Vdc  
1.00  
1.15  
IR  
mAdc  
10  
Thermal Impedance  
t
IM =15 mAdc; IH = 9.9 Adc; H = 200 ms; tMD = 35 ms; VH = 1  
ZØJX  
0C/W  
Vdc  
1.8  
Breakdown Voltage  
IR = 10 mAdc  
1N6774  
1N6775  
1N6776  
1N6777  
50  
Vdc  
VBR  
100  
150  
200  
Junction Capacitance  
CJ  
trr  
pF  
VR = 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz  
Reverse Recovery Time  
IF = 1.0 Adc; di/dt = 50 A/ms  
300  
35  
hs  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
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1

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1N6777 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6777 MICROSEMI

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 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257,
JANTX1N6777 MICROSEMI

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