5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | HIGH VOLTAGE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 20 A |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 1.5 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大反向恢复时间： | 0.06 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6787 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 0.75A, Silicon |
|
| 1N6788 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 0.75A, Silicon |
|
| 1N6789 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 0.75A, Silicon |
|
| 1N6791 | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE |
|
| 1N6792 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
|
| 1N6792R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
|
| 1N6793 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 25A, Silicon, THINKEY-1 |
|
| 1N6793E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 25A, Silicon, THINKEY-1 |
|
| 1N6793R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 25A, Silicon, THINKEY-1 |
|
| 1N6793RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 25A, Silicon, THINKEY-1 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
