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1N6777E3

更新时间： 2024-11-29 05:34:47

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描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257,

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1N6777E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-MSFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
应用：	ULTRA FAST RECOVERY POWER	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-257
JESD-30 代码：	R-MSFM-P2	最大非重复峰值正向电流：	180 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	15 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

1N6777E3 数据手册

TECHNICAL DATA

ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/ 646

Devices

Qualified Level

JAN

1N6774

1N6775

1N6776

1N6777

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Working Peak Reverse Voltage

1N6774 1N6775 1N6776 1N6777

Symbol

V_RWM

I_F

Unit

Vdc

100

150

200

T_C= +100°C⁽¹⁾

Adc

Apk

⁰C

Forward Current

Forward Current Surge Peak T_P= 8.3⁰C

180

I_FSM

Operating & Storage Junction Temperature

-65 to +150

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

TO-257*

(2-PIN-ISOLATED)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

2.0

⁰C/W

qJC

qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

1) Derate at 300 mA/⁰C above T_C= +100⁰C

⁰C/W

*See appendix A for

package

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= +25⁰C Unless Otherwise Noted)

outline

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward Voltage

I_F= 8.0 Adc, pulsed

I_F= 15 Adc, pulsed

Reverse Current Leakage

V_R= 0.8 of V_RWM

V_F

Vdc

1.00

1.15

I_R

mAdc

Thermal Impedance

I_M=15 mAdc; I_H= 9.9 Adc; H = 200 ms; ^tMD = 35 ms; V_H= 1

Z_ØJX

⁰C/W

Vdc

1.8

Breakdown Voltage

I_R= 10 mAdc

1N6774

1N6775

1N6776

1N6777

Vdc

V_BR

100

150

200

Junction Capacitance

C_J

t_rr

V_R= 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz

Reverse Recovery Time

I_F= 1.0 Adc; di/dt = 50 A/ms

300

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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