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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.75 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.08 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6791 | MICROSEMI |
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SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE |
|
| 1N6792 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
|
| 1N6792R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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| 1N6793 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 25A, Silicon, THINKEY-1 |
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| 1N6793E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 25A, Silicon, THINKEY-1 |
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| 1N6793R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 25A, Silicon, THINKEY-1 |
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| 1N6793RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 25A, Silicon, THINKEY-1 |
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| 1N67A | NJSEMI |
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GERMANIUM DIODE |
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| 1N67ABKLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 90V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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| 1N67ATR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 90V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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