1N6816

更新时间： 2024-11-27 22:34:59

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管肖特基二极管
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2页	81K
描述
LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

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1N6816 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-CXSO-G1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.58
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-CXSO-G1	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N6816 数据手册

2830 S. Fairview St.

Santa Ana, CA 92704

PH: (714) 979-8220

FAX: (714) 966-5256

MSASC25W45K

(1N6816)

Features

Tungsten schottky barrier

MSASC25W45KR

(1N6816R)

Oxide passivated structure for very low leakage currents

Guard ring protection for increased reverse energy capability

Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

Low package inductance

Very low thermal resistance

Available as standard polarity (strap-to-anode, 1N6816) and reverse

polarity (strap-to-cathode: 1N6816R)

45 Volts

25 Amps

LOW LEAKAGE

SCHOTTKY DIODE

Maximum Ratings @ 25°C (unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

MAX.

UNIT

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Average Rectified Forward Current, Tc£ 145°C

derating, forward current, Tc³ 145°C

Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave

Peak Repetitive Reverse Surge Current, tp= 1ms, f= 1kHz

Junction Temperature Range

V_RRM

V_RWM

V_R

I_F(ave)

dI_F/dT

I_FSM

I_RRM

T_j

(3.3)

Volts

Amps

Amps/°C

Amps

Amp

125

-55 to +175

1.25

°C

°C/W

Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Case:

T_stg

1N6816

1N6816R

q_JC

1.35

Mechanical Outline

ThinKey™2

Datasheet# MSC1033A

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