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1N6773

更新时间： 2024-11-09 19:54:39

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美高森美 - MICROSEMI		超快恢复二极管快速恢复二极管局域网功率超快恢复二极管
页数	文件大小	规格书
1页	91K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-257AA, TO-257, 3 PIN

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1N6773 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257AA
包装说明：	R-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
应用：	POWER ULTRA FAST RECOVERY	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.45 V	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	R-XSFM-P3	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.06 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N6773 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/645

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

1N6772

1N6773

1N6772R

1N6773R

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted) (Per Diode)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

I_D= 5µAdc

1N6772, R

1N6773, R

400

600

V_RWM

Vdc

Average Forward Current ⁽¹⁾

Peak Surge Forward Current

T_C= +100°C

I_F

Adc

I_FSM

R_θjc

2.5

A(pk)

°C/W

TO-257

Thermal Resistance - Junction to Case

Note:

(1) Derate linearly @ 160mA/°C above T_C= 100°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Breakdown Voltage ⁽²⁾

1N6772, R

1N6773, R

400

600

• 1

• 2

• 3

V_BR

Vdc

Forward Voltage

I_F= 4Adc ⁽²⁾

V_F1

V_F2

1.45

1.60

Vdc

µAdc

I_F= 8Adc ⁽²⁾

Reverse Leakage Current

V_R= 320V ⁽²⁾

1N6772, R

1N6773, R

I_R1

V_R= 480V ⁽²⁾

• 1

• 2

• 3

Reverse Leakage Current

V_R= 320V ⁽²⁾, T_C= +100°C

V_R= 480V ⁽²⁾, T_C= +100°C

1N6772, R

1N6773, R

I_R2

500

Reverse Recovery Time

I_F= 1A, di/dt = 50A/µs

t_rr

Junction Capacitance

V_R= 5Vdc, f = 1.0MHz

C_J

200

Note:

(2) Pulse Test; 300µS, duty cycle ≤ 2%

T4-LDS-0018 Rev. 1 (072044)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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1N6773RE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-257AA, TO-257, 3 PIN
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