生命周期: | Active | 包装说明: | R-MSFM-P2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.75 |
应用: | ULTRA FAST RECOVERY POWER | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | TO-257 |
JESD-30 代码: | R-MSFM-P2 | 最大非重复峰值正向电流: | 180 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 15 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 最大反向恢复时间: | 0.035 µs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6775 | MICROSEMI |
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ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER | |
1N6775E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257, | |
1N6775PBF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 2 | |
1N6776 | MICROSEMI |
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ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER | |
1N6776E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257, | |
1N6777 | MICROSEMI |
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ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER | |
1N6777E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257, | |
1N6778 | INFINEON |
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400V & 600V, 15A, Ultra-Fast Power Rectifiers in TO-257AA Hermetic 2 Pin Package | |
1N6778 | MICROSEMI |
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ULTRAFAST POWER RECTIFIER | |
1N6779 | MICROSEMI |
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ULTRAFAST POWER RECTIFIER |