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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.36 |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY POWER | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | TO-257 | JESD-30 代码： | R-MSFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 180 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 15 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.035 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6776E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257, |
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| 1N6777 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N6777E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257, |
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| 1N6778 | INFINEON |
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400V & 600V, 15A, Ultra-Fast Power Rectifiers in TO-257AA Hermetic 2 Pin Package |
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| 1N6778 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRAFAST POWER RECTIFIER |
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| 1N6779 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRAFAST POWER RECTIFIER |
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| 1N6779 | INFINEON |
获取价格 |
400V & 600V, 15A, Ultra-Fast Power Rectifiers in TO-257AA Hermetic 2 Pin Package |
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| 1N6786 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, Silicon, |
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| 1N6786E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, Silicon, |
|
| 1N6787 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 0.75A, Silicon |
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