1N6624

更新时间： 2024-02-22 19:05:15

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商升特 - SEMTECH		整流二极管
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3页	34K
描述
Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

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1N6624 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	900 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

1N6624 数据手册

1N6620 THRU 1N6625

Axial Leaded Hermetically Sealed

Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

POWER DISCRETES

Description

Features

Quick reference data

u Low reverse leakage current

u Hermetically sealed in fused metal oxide

u Good thermal shock resistance

u Low forward voltage drop

V_R= 200 - 1000V

I_F= 1.5 - 2.0 A

t_rr= 30 - 60ns

V_F= 1.6 -1.95V

u Avalanche capability

Absolute Maximum Ratings

Electrical specifications @ T_A= 25°C unless otherwise specified.

Symbol

1N6620

1N6621

1N6622

1N6623

1N6624 1N6625

Units

Working Reverse Voltage

V_RWM

200

400

600

800

900

1.5

1000

1.5

Average Forward Current

@ 55°C in free air, lead length

0.375"

I_F(AV)

2.0

1.5

Non-Repetitive Surge Current

(tp = 8.3mS @ V_R& T_JMAX

)

I_FSM

(tp = 8.3mS, @ V_R& 25°C)

Storage Temperature Range

T_STG

-65 to +175

°C

Revision: November, 2009

www.semtech.com

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