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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JESD-30 代码： | E-XALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 75 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 2.3 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 2 µA | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6626_04 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N6626_09 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N6626D3A | SEME-LAB |
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ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
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| 1N6626D3B | SEME-LAB |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
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| 1N6626D3D | TTELEC |
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Diode |
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| 1N6626-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N6626S | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
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| 1N6626SMS | SSDI |
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2.3 A, 200 V Hyperfast Recovery Rectifier |
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| 1N6626SMSTX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.3A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N6626SMSTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.3A, 200V V(RRM), Silicon, |
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