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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 75 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 1.75 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.045 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6626 | MICROSEMI |
类似代替  |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
|
| 1N6626 | SENSITRON |
功能相似 |
Ultrafast Recovery Rectifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6626_04 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N6626_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N6626D3A | SEME-LAB |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
|
| 1N6626D3B | SEME-LAB |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
|
| 1N6626D3D | TTELEC |
获取价格 |
Diode |
|
| 1N6626-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N6626S | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| 1N6626SMS | SSDI |
获取价格 |
2.3 A, 200 V Hyperfast Recovery Rectifier |
|
| 1N6626SMSTX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.3A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N6626SMSTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.3A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
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