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1N6626US

更新时间： 2024-11-18 07:23:11
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
Ultrafast Recovery Rectifier

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1N6626US 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：MELF
包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.12
其他特性：METALLURGICALLY BONDED应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.35 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：2 µA
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N6626US 数据手册

 浏览型号1N6626US的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N6626US的Datasheet PDF文件第3页 
1N6626,U,US thru 1N6631,U,US  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 5077, REV. B  
SJ  
SX  
SV  
Ultrafast Recovery Rectifier  
• Hermetic, non-cavity glass package  
• Metallurgically bonded  
• Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o  
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.  
Rating  
Symbol  
Condition  
Max  
Units  
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE  
1N6626, U, US  
200  
400  
600  
800  
900  
1000  
1N6627, U ,US  
1N6628, U, US  
1N6629, U, US  
1N6630 ,U, US  
VRWM  
Volts  
1N6631, U, US  
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT  
1N6626 thru 1N6628  
2.3  
1.8  
Io  
TL= 75 oC  
TEC= 110 oC  
Tp=8.3ms  
Tj = 25 oC  
Amps  
Amps  
1N6629 thru 1N6631  
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT  
1N6626U, US thru 1N6628U, US  
4.0  
2.8  
Io  
1N6629U, US thru 1N6631U, US  
PEAK FORWARD SURGE CURRENT  
1N6626, U, US thru 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IFSM  
75  
60  
A(pk)  
MAXIMUM REVERSE CURRENT  
1N6626, U, US thru 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IR @ VRWM  
2.0  
4.0  
μAmps  
μAmps  
MAXIMUM REVERSE CURRENT  
1N6626, U, US thru 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IR @ VRWM  
Tj = 150 oC  
500  
600  
MAX. PEAK FORWARD VOLTAGE (PULSED)  
1N6626, U, US thru 1N6628,U, US  
1N6629,U, US to 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IF=4A  
IF=3A  
IF=2A  
1.50  
1.70  
1.95  
VFM  
Volts  
A(pk)  
PEAK RECOVERY CURRENT  
1N6626, U, US thru 1N6628,U, US  
1N6629,U, US to 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IF=2A,  
100A/μ  
3.5  
4.2  
5.0  
IRM  
MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME  
1N6626, U, US thru 1N6628,U, US  
1N6629,U, US to 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IF=0.5A  
RM =1.0A  
30  
50  
60  
Trr  
ns  
I
FORWARD RECOVERY VOLTAGE  
1N6626, U, US thru 1N6628,U, US  
1N6629,U, US to 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IF=1A  
tr=12ns  
8
12  
20  
VFRM  
Volts  
THERMAL RESISTANCE (Axial)  
1N6626 thru 1N6631  
L=.375  
L=0  
oC/W  
oC/W  
RθJL  
RθJC  
22  
THERMAL RESISTANCE (MELF)  
1N6626U, US thru 1N6631U, US  
6.5  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Addre1N - sales@sensitron.com •  
123

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与1N6626US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6626US_09 MICROSEMI

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 		VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS
1N6626USS SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,
1N6626USV SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,
1N6626USX SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,
1N6626UV SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,
1N6627 MICROSEMI

获取价格

 		ULTRA FAST RECTIFIERS
1N6627 SENSITRON

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 		Ultrafast Recovery Rectifier
1N6627 NJSEMI

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 		FAST RECTIFIER, 1A < I(O) / I(F) < 2A
1N6627 SSDI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.3A, 400V V(RRM), Silicon,
1N6627D3A SEME-LAB

获取价格

 		ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER

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