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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 24 weeks | 风险等级： | 5.07 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 应用： | HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 75 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 4 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N6626U | MICROSEMI |
完全替代  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC, MELF-B, 2 PIN |
|
| JANTXV1N6626US | MICROSEMI |
完全替代 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6626US_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N6626USS | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| 1N6626USV | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| 1N6626USX | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| 1N6626UV | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| 1N6627 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
|
| 1N6627 | SENSITRON |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Rectifier |
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| 1N6627 | NJSEMI |
获取价格 |
FAST RECTIFIER, 1A < I(O) / I(F) < 2A |
|
| 1N6627 | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.3A, 400V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N6627D3A | SEME-LAB |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
|
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