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1N5817T26R

更新时间： 2024-11-17 08:31:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41

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1N5817T26R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.32
其他特性：FREE WHEELING DIODE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：1.25 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1N5817T26R 数据手册

 浏览型号1N5817T26R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5817T26R的Datasheet PDF文件第3页 
1N5817 - 1N5819  
Features  
• 1.0 ampere operation at TA = 90°C  
with no thermal runaway.  
• For use in low voltage, high  
frequency inverters free  
wheeling, and polarity  
DO-41  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
protection applications.  
Schottky Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Value  
Symbol  
Parameter  
Units  
1N5817 1N5818 1N5819  
VRRM  
IF(AV)  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
20  
30  
40  
V
A
1.0  
.375 " lead length @ T = 90 C  
°
A
IFSM  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half-Sine-Wave  
25  
A
Storage Temperature Range  
-65 to +125  
C
Tstg  
TJ  
°
Operating Junction Temperature  
-65 to +125  
C
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.25  
80  
W
RθJA  
C/W  
°
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Device  
Symbol  
Parameter  
Units  
1N5817 1N5818 1N5819  
VF  
IR  
Forward Voltage  
@ 1.0 A  
@ 3.0 A  
450  
750  
550  
875  
0.5  
10  
600  
900  
mV  
mV  
mA  
mA  
Reverse Current @ rated VR T = 25 C  
°
A
T = 100 C  
°
A
CT  
Total Capacitance  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
110  
pF  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1N5817-1N5819, Rev. C  
123

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与1N5817T26R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5817-T3 WTE

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 		1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5817-T3-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS
1N5817T50A FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN
1N5817T50R FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN
1N5817-TB WTE

获取价格

 		1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5817-TB-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS
1N5817T-G COMCHIP

获取价格

 		Schottky Barrier Rectifiers
1N5817-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS
1N5817-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N5817TR VISHAY

获取价格

 		Schottky Rectifier, 1.0 A

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