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1N5817T26R

更新时间： 2024-02-17 18:35:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41

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技术参数
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1N5817T26R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	1.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N5817T26R 数据手册

1N5817 - 1N5819

Features

• 1.0 ampere operation at T_A= 90°C

with no thermal runaway.

• For use in low voltage, high

frequency inverters free

wheeling, and polarity

DO-41

COLOR BAND DENOTES CATHODE

protection applications.

Schottky Rectifiers

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Value

Symbol

Parameter

Units

1N5817 1N5818 1N5819

V_RRM

I_F(AV)

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

1.0

.375 " lead length @ T = 90 C

I_FSM

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

Storage Temperature Range

-65 to +125

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

-65 to +125

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

1.25

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Device

Symbol

Parameter

Units

1N5817 1N5818 1N5819

V_F

I_R

Forward Voltage

@ 1.0 A

@ 3.0 A

450

750

550

875

0.5

600

900

Reverse Current @ rated V_RT = 25 C

T = 100 C

C_T

Total Capacitance

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

110

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

1N5817-1N5819, Rev. C

12 3

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与1N5817T26R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5817-T3	WTE	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
1N5817-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格
1N5817T50A	FAIRCHILD	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N5817T50R	FAIRCHILD	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N5817-TB	WTE	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
1N5817-TB-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格