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1N5817T26R

更新时间： 2024-01-12 10:26:56

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41

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技术参数
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1N5817T26R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	1.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N5817T26R 数据手册

Schottky Rectifiers

(continued)

Typical Characteristics

1N5817

0.75

1N5819

SINGLE PHASE

HALF WAVE

60HZ

0.5

1N5818

RESISTIVE OR

INDUCTIVE LOAD

.375" 9.5 mm LEAD

0.25

LENGTHS

= 25 C

Pulse Width = 300µS

1% Duty Cycle

100

120

140

0.1

0.2 0.4 0.6 0.8

1.2 1.4 1.6 1.8

Forward Voltage, V_F[V]

Lead Temperature [ºC]

Figure 1. Forward Current Derating Curve

Figure 2. Forward Voltage Characteristics

400

200

= 25 C

8.3ms Single Half Sine-Wave

JEDEC Method

100

0.1

0.5

40 60 100

Number of Cycles at 60Hz

Reverse Voltage, V_R[V]

Figure 3. Non-Repetitive Surge Current

Figure 4. Total Capacitance

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

1N5817-1N5819, Rev. C

123

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与1N5817T26R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5817-T3	WTE	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
1N5817-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格
1N5817T50A	FAIRCHILD	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N5817T50R	FAIRCHILD	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N5817-TB	WTE	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
1N5817-TB-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格