是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-41 |
包装说明: | LEAD FREE, DO-41, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.05 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.45 V |
JEDEC-95代码: | DO-204AL | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 40 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 20 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5817-TR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 | |
1N5817TR-RPCU | CENTRAL |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41SP, 2 PIN | |
1N5817U02 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 | |
1N5817W | SEMTECH |
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1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
1N5817W | TYSEMI |
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For use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polarity protection ap | |
1N5817W | HOTTECH |
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SOD-123 | |
1N5817W | KEXIN |
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Schottky Diodes | |
1N5817W | RECTRON |
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Reverse Voltage Vr : 20 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 25 A;Forward Volt | |
1N5817W~1N5819W | FOSHAN |
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SOD-123FL | |
1N5817WB | EIC |
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SCHOTTKY BARRIER DIODES |