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1N5817-TP-HF

更新时间： 2024-01-02 20:08:36

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
3页	421K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41,

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1N5817-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.06
其他特性：	LOW POWER LOSS	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	20 V
最大反向恢复时间：	0.01 µs	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5817-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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1N5817

THRU

1N5819

Micro Commercial Components

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Guard Ring Protection

Low Forward Voltage

Low Power Loss For High Efficiency

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

1 Amp Schottky

Barrier Rectifier

20 to 40 Volts

Moisture Sensitivity Level 1

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

Maximum Ratings

DO-41

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +125°C

Maximum Thermal Resistance; 80°C/W Junction To Ambient

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

Maximum DC

Blocking

Voltage

MCC

Part Number

Maximum

RMS Voltage

1N5817

1N5818

1N5819

20V

30V

40V

14V

21V

28V

20V

30V

40V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

1.0A

T_A= 90°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

25A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

1N5817

V_F

.45V

.55V

.60V

I_FM= 1.0A;

T_J= 25°C*

1N5818

1N5819

DIMENSIONS

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Typical Junction

Capacitance

INCHES

MAX

DIM

MIN

.166

.080

.028

1.000

MIN

4.10

2.00

.70

MAX

5.20

2.70

.90

NOTE

I_R

1.0mA T_J= 25°C

10mA T_J= 100°C

.205

.107

.034

---

25.40

---

C_j

110pF Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%

Note: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

1 of 3

12 3

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与1N5817-TP-HF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5817TR	VISHAY	Schottky Rectifier, 1.0 A	获取价格
1N5817-TR	MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
1N5817TR-RPCU	CENTRAL	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41SP, 2 PIN	获取价格
1N5817U02	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
1N5817W	SEMTECH	1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
1N5817W	TYSEMI	For use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polarity protection ap	获取价格

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