1N5817-T3

更新时间： 2024-02-14 11:29:50

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WTE		整流二极管瞄准线
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3页	39K
描述
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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1N5817-T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.16	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	20 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5817-T3 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

1N5817 – 1N5819

1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

High Current Capability

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

Mechanical Data

DO-41

Min

Dim

Max

Case: Molded Plastic

25.4

4.06

0.71

2.00

—

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

5.21

0.864

2.72

Weight: 0.34 grams (approx.)

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Symbol

1N5817

1N5818

1N5819

Unit

V^RRM

V^RWM

V^R

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current (Note 1)

@T_L= 90°C

1.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

@I_F= 3.0A

0.450

0.750

0.550

0.875

0.60

0.90

V^FM

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

1.0

I^RM

Typical Junction Capacitance (Note 2)

C^j

110

K/W

°C

Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JL

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

1N5817 – 1N5819

1 of 3

12 3

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与1N5817-T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5817-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格
1N5817T50A	FAIRCHILD	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N5817T50R	FAIRCHILD	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N5817-TB	WTE	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
1N5817-TB-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格
1N5817T-G	COMCHIP	Schottky Barrier Rectifiers	获取价格

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