1N5624GP

更新时间： 2024-02-11 14:52:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5624GP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	E-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	125 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N5624GP 数据手册

1N5624GP THRU 1N5627GP

GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER

Reverse Voltage - 200 to 800 Volts

Forward Current - 3.0 Amperes

DO-201AD

FEATURES

♦ Plastic package has

Underwriters Laboratory

1.0 (25.4)

MIN.

Flammability Classification 94V-0

♦ High temperature metallurgically

bonded construction

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA.

♦ Glass passivated cavity-free junction

♦ Capable of meeting environmental standards of

MIL-S-19500

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

♦ 3.0 Ampere operation at T =70°C with no thermal

runaway

♦ Typical I less than 0.1µA

0.052 (1.32)

♦ High temperature soldering guaranteed:

350°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length

5 lbs. (2.3kg) tension

1.0 (25.4)

MIN.

0.048 (1.22)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

*Glass-plastic encapsulation technique is covered by

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-201AD molded plastic over glass body

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Patent No. 3,996,602 and brazed-lead assembly by Patent No. 3,930,306

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Weight: 0.04 ounce, 1.12 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOLS

V_RRM

V_DC

1N5624GP 1N5625GP

1N5626GP 1N5627GP

UNITS

Volts

* Maximum repetitive peak reverse voltage

* Maximum DC blocking voltage

200

400

600

800

* Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5mm) lead lengths at T_A=70°C

I_(AV)

3.0

Amps

* Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

I_FSM

125.0

* Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A T_A=25°C

T_A=70°C

1.0

0.95

V_F

I_R

Volts

µA

Maximum reverse current

T_A=25°C

5.0

at rated DC blocking voltage

T_A=150°C

300.0

200.0

Maximum full load reverse current, full cycle

average, 0.375" (9.5mm) lead length at T_A=70°C

I_R(AV)

200.0

3.0

µA

Typical reverse recovery time _{(NOTE 1)}

Typical junction capacitance _{(NOTE 2)}

Typical thermal resistance _{(NOTE 3)}

t_rr

C_J

µs

40.0

20.0

R_ΘJA

T_J, T_STG

°C/W

°C

Operating junction and storage temperature range

-65 to +175

NOTES:

(1) Reverse recovery test conditions: I_F=0.5A, I_R=1.0A, I_rr=0.25A

(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V_DC

(3) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted

*JEDEC Values

4/98

中文翻译

下载PDF

与1N5624GP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5624GP/51-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5624GP/58-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5624GP/64-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5624GP/66-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5624GP/72	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5624GP/73-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5624GP-E3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R
1N5624GP-E3/66	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5624GP-E3/71	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5624GP-E3/73	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R

与1N5624GP相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5624GP

1N5624GP 技术参数

1N5624GP 数据手册

与1N5624GP相关器件

与1N5624GP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5624GP

1N5624GP 技术参数

1N5624GP 数据手册

与1N5624GP相关器件

与1N5624GP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？