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1N5624GPHE3/54

更新时间： 2024-11-26 14:28:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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1N5624GPHE3/54 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.31
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5624GPHE3/54 数据手册

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1N5624, 1N5625, 1N5626, 1N5627  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Standard Avalanche Sinterglass Diode  
FEATURES  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Controlled avalanche characteristics  
• Low reverse current  
• High surge current loading  
949588  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
MECHANICAL DATA  
Case: SOD-64  
APPLICATIONS  
Terminals: plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, method 2026  
• Rectification diode, general purpose  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Weight: approx. 858 mg  
ORDERING INFORMATION (Example)  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
1N5627  
1N5627-TR  
2500 per 10" tape and reel  
2500 per ammopack  
12 500  
12 500  
1N5627  
1N5627-TAP  
PARTS TABLE  
PART  
TYPE DIFFERENTIATION  
VR = 200 V; IF(AV) = 3 A  
VR = 400 V; IF(AV) = 3 A  
PACKAGE  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
1N5624  
1N5625  
1N5626  
1N5627  
VR = 600 V; IF(AV) = 3 A  
R = 800 V; IF(AV) = 3 A  
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
See electrical characteristics  
tp = 10 ms, half sinewave  
PART  
SYMBOL  
R = VRRM  
VR = VRRM  
VALUE  
200  
400  
600  
800  
100  
18  
UNIT  
1N5624  
1N5625  
1N5626  
1N5627  
V
V
V
V
V
A
A
A
Reverse voltage = repetitive peak reverse  
voltage  
V
R = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
V
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
IFRM  
IF(AV)  
3
tp = 20 μs, half sine wave,  
Tj = 175 °C  
Pulse avalanche peak power  
PR  
1000  
20  
W
Pulse energy in avalanche mode, non repetitive  
(inductive load switch off)  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 175 °C  
ER  
mJ  
i2*t-rating  
i2*t  
40  
A2*s  
°C  
Junction and storage temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
l = 10 mm, TL = constant  
RthJA  
25  
70  
K/W  
K/W  
Junction ambient  
On PC board with spacing 25 mm  
RthJA  
Rev. 1.6, 05-Sep-13  
Document Number: 86063  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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1N5624GPHE3/54 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5624GP-E3/54 VISHAY

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1N5624LEADFREE CENTRAL

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