5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 1N5624GPHE3/73
1N5624GPHE3/73 PDF预览

1N5624GPHE3/73

更新时间： 2024-02-23 05:01:30
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

1N5624GPHE3/73 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.32
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：3 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5624GPHE3/73 数据手册

 浏览型号1N5624GPHE3/73的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5624GPHE3/73的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N5624GPHE3/73的Datasheet PDF文件第4页 
1N5624GP thru 1N5627GP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Rectifier  
FEATURES  
• Superectifier structure for high reliability  
application  
SUPERECTIFIER®  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• AEC-Q101 qualified  
DO-201AD  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V to 800 V  
125 A  
Case: DO-201AD, molded epoxy over glass body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified  
5.0 μA  
VF  
0.95 V  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
TJ max.  
175 °C  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted) (1)  
PARAMETER  
SYMBOL 1N5624GP  
1N5625GP  
400  
1N5626GP  
600  
1N5627GP  
800  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VDC  
200  
200  
V
V
400  
600  
800  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 70 °C  
IF(AV)  
IFSM  
3.0  
125  
200  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
Maximum full load reverse current, full cycle average  
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 70 °C  
IR(AV)  
μA  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Note  
(1)  
JEDEC registered values  
Document Number: 88524  
Revision: 15-Mar-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

中文翻译

下载PDF

与1N5624GPHE3/73相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5624GP-HE3/73 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R
1N5624LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2
1N5624TR VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
1N5624TR CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon,
1N5624-TR VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
1N5624TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon,
1N5625 EIC

获取价格

 		GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS
1N5625 VISHAY

获取价格

 		GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
1N5625 POWEREX

获取价格

 		Lead Mounted Rectifier
1N5625 DIGITRON

获取价格

 		Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input

与1N5624GPHE3/73相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证