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1N5625

更新时间： 2024-09-20 14:51:03
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页数 文件大小 规格书
6页 454K
描述
3A,400V Through-Hole Rectifier-General Purpose Single

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1N5625 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.17其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：E-LALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5625 数据手册

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1N5624 1N5626  
1N5625 1N5627  
www.centralsemi.com  
SILICON  
DESCRIPTION:  
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS  
5.0 AMP, 200 THRU 800 VOLT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5624 series  
types are silicon rectifiers mounted in a hermetically  
sealed, glass passivated package, designed for general  
purpose applications where high reliablility is required.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
GPR-4AM CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL 1N5624 1N5625 1N5626 1N5627 UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
200  
200  
140  
400  
400  
280  
600  
600  
420  
800  
800  
560  
V
RRM  
V
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =75°C)  
I
3.0  
5.0  
100  
A
A
O
O
Average Forward Current  
I
A
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
A
FSM  
T , T  
-65 to +200  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
V =Rated V  
MIN  
MAX  
5.0  
UNITS  
μA  
I
R
R
RRM  
V
I =3.0A  
1.0  
V
F
F
R1 (9-April 2013)  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5625/4 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
1N5625BKLEADFREE CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon,
1N5625-E3/54 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,
1N5625GP VISHAY

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
1N5625GP/100 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5625GP/4E-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5625GP/51 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5625GP/53 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5625GP/54 VISHAY

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1N5625GP/68 VISHAY

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