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1N5625

更新时间： 2024-02-21 03:36:48

品牌	Logo	应用领域
DIGITRON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	627K
描述
Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Voltage: 400; Max DC Reverse Voltage: 5; Package: DIGI-K

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1N5625 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.17	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	E-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5625 数据手册

1N5624-1N5627

GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

High-reliability discrete products

and engineering services since 1977

FEATURES



Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.

Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Characteristics

Maximum peak repetitive reverse voltage

Maximum RMS voltage

Symbol

1N5624

1N5625

1N5626

600

1N5627

800

Unit

V_RRM

200

400

V_RMS

140

280

420

560

Maximum DC blocking voltage

V_DC

200

400

600

800

Maximum average forward rectified current

I_AV

3.0

0.375” lead length @ T_A= 70°C

Peak forward surge current

I_FSM

8.3ms single half sine wave superimposed on rated load

125

Maximum instantaneous forward voltage @ 3.0A

T_A= 25°C

T_A= 70°C

V_F

1.0

0.95

Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage

I_R

µA

T_A= 25°C

5.0

T_A= 175°C

300

150

200

100

Maximum full load reverse current

I_R(AV)

C_J

µA

Full cycle average, 0.375” lead length @ T_A= 70°C

Typical junction capacitance ⁽¹⁾

R_ӨJA

R_ӨJL

Typical thermal resistance ⁽²⁾

°C/W

Operating junction temperature range

T_J

-65 to +175

-65 to +200

°C

Storage temperature range

T_STG

Note 1: Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V.

Note 2: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375” lead length, with both leads attached between heatsinks.

Rev. 20121121

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5625/4	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
1N5625BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon,
1N5625-E3/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,
1N5625GP	VISHAY	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
1N5625GP/100	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5625GP/4E-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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1N5625GP/53	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5625GP/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5625GP/68	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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