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1N5626BK

更新时间: 2024-11-19 13:21:15
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CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,

1N5626BK 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.21应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:E-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:125 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5626BK 数据手册

  

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