Datasheet > 1N5626

1N5626

更新时间： 2024-11-19 20:16:39

品牌	Logo	应用领域
DIGITRON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	627K
描述
Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Voltage: 600; Max DC Reverse Voltage: 5; Package: DIGI-K

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5626 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	125 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	5 µA
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5626 数据手册

1N5624-1N5627

GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

High-reliability discrete products

and engineering services since 1977

FEATURES



Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.

Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Characteristics

Maximum peak repetitive reverse voltage

Maximum RMS voltage

Symbol

1N5624

1N5625

1N5626

600

1N5627

800

Unit

V_RRM

200

400

V_RMS

140

280

420

560

Maximum DC blocking voltage

V_DC

200

400

600

800

Maximum average forward rectified current

I_AV

3.0

0.375” lead length @ T_A= 70°C

Peak forward surge current

I_FSM

8.3ms single half sine wave superimposed on rated load

125

Maximum instantaneous forward voltage @ 3.0A

T_A= 25°C

T_A= 70°C

V_F

1.0

0.95

Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage

I_R

µA

T_A= 25°C

5.0

T_A= 175°C

300

150

200

100

Maximum full load reverse current

I_R(AV)

C_J

µA

Full cycle average, 0.375” lead length @ T_A= 70°C

Typical junction capacitance ⁽¹⁾

R_ӨJA

R_ӨJL

Typical thermal resistance ⁽²⁾

°C/W

Operating junction temperature range

T_J

-65 to +175

-65 to +200

°C

Storage temperature range

T_STG

Note 1: Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V.

Note 2: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375” lead length, with both leads attached between heatsinks.

Rev. 20121121

12 3

中文翻译

下载PDF

与1N5626相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5626BK	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,
1N5626-E3/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,
1N5626GP	VISHAY	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
1N5626GP/100	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5626GP/58	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5626GP/58-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5626GP/68-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5626GP/71-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5626GP/74-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5626GP-E3/4	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P

与1N5626相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5626

1N5626 技术参数

1N5626 数据手册

与1N5626相关器件

与1N5626相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5626

1N5626 技术参数

1N5626 数据手册

与1N5626相关器件

与1N5626相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？