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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 125 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 5 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5624TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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| 1N5624TR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5624-TR | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
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| 1N5624TRLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5625 | EIC |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS |
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| 1N5625 | VISHAY |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
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| 1N5625 | POWEREX |
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Lead Mounted Rectifier |
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| 1N5625 | DIGITRON |
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Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input |
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| 1N5625 | CENTRAL |
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3A,400V Through-Hole Rectifier-General Purpose Single |
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| 1N5625/4 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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