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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS, S PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 2.09 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 10000 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5184E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.1A, 10000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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| 1N5184SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N5185 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 50V V(RRM) |
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| 1N5185BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5186 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 3AMP, FAST RECOVERY |
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| 1N5186 | NJSEMI |
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RECTIFIERS 3 Amp, Fast Recovery |
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| 1N5186 | SENSITRON |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| 1N5186 | DIGITRON |
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Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Vol |
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| 1N5186_08 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N5186BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, |
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