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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.25 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5185BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5186 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 3AMP, FAST RECOVERY |
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| 1N5186 | NJSEMI |
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RECTIFIERS 3 Amp, Fast Recovery |
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| 1N5186 | SENSITRON |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| 1N5186 | DIGITRON |
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Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Vol |
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| 1N5186_08 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N5186BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5186E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
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| 1N5186R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N5186US | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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