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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.15 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | MATTE TIN OVER COPPER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5186R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
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| 1N5186US | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5186X | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| 1N5187 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 3AMP, FAST RECOVERY |
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| 1N5187 | SENSITRON |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| 1N5187 | DIGITRON |
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Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Vol |
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| 1N5187BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5187E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
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| 1N5187R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N5187S | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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