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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.26 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 80 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.2 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 30CTQ045 | DIOTEC |
功能相似  |
High Temperature Schottky Rectifier . Common Cathode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5187BK | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5187E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
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| 1N5187R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N5187S | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
|
| 1N5187TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5187US | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5187X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N5187X | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N5188 | CENTRAL |
获取价格 |
FAST RECOVERY, GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER 3 AMP, 400 THRU 600 VOLTS |
|
| 1N5188 | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Vol |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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