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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | E-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.72 | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | E-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 80 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向恢复时间： | 0.3 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5186E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
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| 1N5186R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
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| 1N5186US | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5186X | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| 1N5187 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 3AMP, FAST RECOVERY |
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| 1N5187 | SENSITRON |
获取价格 |
FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| 1N5187 | DIGITRON |
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Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Vol |
|
| 1N5187BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5187E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N5187R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
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