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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | E-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.3 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5186 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 3AMP, FAST RECOVERY |
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| 1N5186 | NJSEMI |
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RECTIFIERS 3 Amp, Fast Recovery |
|
| 1N5186 | SENSITRON |
获取价格 |
FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| 1N5186 | DIGITRON |
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Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Vol |
|
| 1N5186_08 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5186BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5186E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N5186R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N5186US | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N5186X | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
|
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