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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.47 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 10 V | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 10000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5184SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N5185 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 50V V(RRM) |
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| 1N5185BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5186 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 3AMP, FAST RECOVERY |
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| 1N5186 | NJSEMI |
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RECTIFIERS 3 Amp, Fast Recovery |
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| 1N5186 | SENSITRON |
获取价格 |
FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| 1N5186 | DIGITRON |
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Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input Vol |
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| 1N5186_08 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N5186BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5186E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
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